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1W 850nm 高功率表面射型激光器芯片

概要信息:
基本信息
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产品详细参数

特 性
◆ 功率转换效率高:43%
◆ 波长:850奈米
◆ 芯片规格:1000x1000 ± 15μm
◆ 芯片厚度:150 ± 10μm
◆ 驱动电流:1.2 A
◆ 输出功率:1W
◆ 按照客户需求进行其他配置 

特 性

 

产品型号

应用

传输速率

功率

波长

温度(°C)

产品样本

HP24-VDC-0850-1

移动传感器/ 手势/光电传感器/光电编码器/3D 传感器

NA

0.8-1.2 mW

840-860 nm

-40-85

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